可控硅模塊的靜態(tài)特性運(yùn)行特性

2021-09-03

（1）正方向特性

IG=0時(shí)，元器件兩邊增加正方向電壓，僅有極小的正方向漏電流，為正方向阻斷狀態(tài)。

正方向電壓超過(guò)正方向轉(zhuǎn)折電壓Ubo，則漏電流急劇增加，元器件開(kāi)通。

由于門(mén)極電流幅值的增加，正方向轉(zhuǎn)折電壓降低。

可控硅本身的壓降極小，在1V左右。
圖3.可控硅的伏安特性

（2）反方向特性

反方向特性相似二極管的反方向特性。

反方向阻斷狀況時(shí)，僅有極小的反相漏電流經(jīng)過(guò)。

當(dāng)反方向電壓達(dá)到反方向擊穿電壓后，將會(huì)造成可控硅起熱毀壞。

以上就是傳承電子對(duì)可控硅模塊的靜態(tài)特性運(yùn)行特性的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專(zhuān)業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時(shí)還給眾多公司提供來(lái)料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標(biāo)準(zhǔn)和非標(biāo)準(zhǔn)的功率半導(dǎo)體模塊等。

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