變流器的核心元器件MOSFET和igbt

2021-10-09

MOSFET和igbt模塊是現階段變流器中使用最普遍，最重要的兩類核心元器件。MOSFET主要是使用在低壓和中壓（中小功率），igbt模塊主要是使用在高壓和中壓（大功率）領域。

對于MOSFET已有很多方面的精辟的論述，在這里不再重復，只對個別問題作點補充說明。igbt模塊的探討還較少，所以，是本篇文章的主要是探討對象。

首先來說MOSFET

提1個基礎性問題：驅動MOSFET導通的最合適柵電壓多少伏？

很多人的回答是：15V。這一答案無法說錯，但，這活干得太粗。

MOSFET的導通電阻是隨柵電壓的提升而下滑，當柵電壓到達一定值時，導通電阻就幾乎不會再降低了，暫且稱作“多方面導通”，通常認為這一電壓是小于15V的。

事實上，不同耐壓的MOSFET到達多方面導通的柵電壓是有差異的。基本規律是：耐壓越高的MOSFET，到達多方面導通的柵電壓越低；耐壓越低的MOSFET，到達多方面導通的柵電壓越高。我查看了各類耐壓MOSFET的VGS－RDS曲線，獲得的結論是：耐壓200V的MOSFET到達多方面導通的柵電壓＞16V；耐壓500V的MOSFET到達多方面導通的柵電壓＞12V；耐壓1000V的MOSFET到達多方面導通的柵電壓＞8V。所以，提議：耐壓200V及之下的MOSFET柵驅動電壓＝17－18V；耐壓500V的MOSFET柵驅動電壓＝15V；耐壓1000V的MOSFET柵驅動電壓＝12V。

說了MOSFET的驅動電壓，再來說說igbt模塊的驅動電壓，igbt模塊的驅動電壓為15±1.5V，與igbt模塊的耐壓無關。驅動電壓小于13.5V，igbt模塊的飽和壓降會明顯增高；高過16.5V，既沒有必要，還將會帶來不利的影響。

以上就是傳承電子對變流器的核心元器件MOSFET和igbt的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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