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隨之半導(dǎo)體元器件制作技術(shù)的不斷完善和制造技術(shù)的提升，半導(dǎo)體功率元器件正向著大電流、高電壓、快通斷、功能損耗小、易保護(hù)、模塊化方向發(fā)展，現(xiàn)在已經(jīng)出現(xiàn)了雙極性晶體管GTR、功率場效應(yīng)管MOSFET、功率絕緣柵控雙極性晶體管igbt模塊。

功率igbt模塊是電壓驅(qū)動元器件，具備一個(3～6)V的閾值電壓，有個很大的容性輸入阻抗，對柵極電荷十分敏感，故驅(qū)動線路一定很可靠，igbt模塊開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨之柵極驅(qū)動線路特性的變化而變化，驅(qū)動線路特性直接確定igbt模塊能否常規(guī)運(yùn)行，igbt模塊常選用柵極驅(qū)動，與其它自斷開元器件一致，igbt模塊對驅(qū)動線路也是有一些特別要求。

極驅(qū)動電壓UGE。在igbt模塊開通時，脈沖前沿很陡的柵極電壓加到柵極和發(fā)射極間，使igbt模塊迅速開通，開通時間短，減少開通耗損;在斷開時，下降沿陡的反方向偏置電壓加到柵極與發(fā)射極間，使之迅速斷開，減少斷開耗損。所以，用內(nèi)阻小的驅(qū)動源對柵極電容充放電，以確保柵極控制電壓UGE有充足陡的前后沿，使igbt模塊的開關(guān)損耗盡量小。igbt模塊導(dǎo)通中及瞬間過載時，柵極驅(qū)動源理應(yīng)能供應(yīng)充足的功率，使igbt模塊不退出飽和而毀壞。

閾值電壓UGE(th)由元器件本身特性確定，實(shí)際運(yùn)用中UGE應(yīng)不小于(1.5～2.5)UGE(th)，以利取得最小導(dǎo)通壓降。當(dāng)UGE增多時，導(dǎo)通模式下的集射電壓UCE壓減少，通態(tài)壓降和開通耗損均下降;但負(fù)載過程中UGE增多，集電極電流Ic也隨著增加，igbt模塊能承擔(dān)短路電流的時間減少，對其安全性不好，所以在有短路環(huán)節(jié)的設(shè)施中Uge應(yīng)取得小些，因?yàn)轱柡蛯?dǎo)通電壓是igbt模塊發(fā)熱的關(guān)鍵因素之一，所以必須盡可能減少。

綜合考慮到，通常選+15V;igbt模塊斷開時，柵射極間加反偏電壓有助于igbt模塊快速斷開，但反偏電壓-UGE受柵射極間反方向最大耐壓限制，過大則導(dǎo)致柵射極的反方向擊穿，通常-UGE為(-2～-10)V，通常取-5V關(guān)柵電壓。線路上選用穩(wěn)壓管的方式，用+20V電壓來形成+15V開柵電壓和-5V關(guān)柵電壓。

以上就是傳承電子對igbt的內(nèi)部電壓參數(shù)的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標(biāo)準(zhǔn)和非標(biāo)準(zhǔn)的功率半導(dǎo)體模塊等。