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igbt模塊晶體管是集GTR與MOSFET兩者優勢于一體的復合元器件，它不僅有MOSFET的輸入阻抗高、速度更快、開關損耗小、驅動線路簡單、規定驅動功率小、極限工作溫度高、易驅動的特性，又具備功率晶體管GTR的通態電壓低、耐壓高和電流容量大的優勢，為電壓控制通斷的自斷開元器件，其頻率特性處于MOSFET與功率晶體管間，可常規運行于數十kHz頻率范圍內，功率元器件igbt模塊正日益普遍地運用于體型小、噪音低、特性高的變頻電源及大功率的交流伺服電機的調速系統中，在較高頻率的大、中功率運用中占據了主導地位，并已開始在上述行業中替代功率雙極性晶體管GTR和功率場效應管MOSFET中。

與GTR和MOSFET一致，igbt模塊運用的關鍵問題是驅動線路和保護線路，文中依據在實際運行中對igbt模塊的運用探討有關igbt模塊的驅動及保護問題。

1、柵極電阻RG。igbt模塊的輸入阻抗可以達到109～1011歐姆，并且是純容性的，不需直流電流，在它的柵極～發射極間添加十幾伏的電壓，唯有uA級的漏電流流過，通常不損耗功率。為了改進控制脈沖前后沿陡度，減少igbt模塊集電極大的電壓尖脈沖，需要在柵極串聯電阻RG，柵極串聯電阻和驅動線路內阻抗對igbt模塊的開通環節影響很大，而對斷開環節影響小一些，串聯電阻小有助于加快斷開速率，減少斷開損耗，但過小會導致di/dt增高，形成很大的集電極電壓尖峰，將會導致誤導通或毀壞igbt模塊。所以對串聯電阻要按照其具體電流容量和電壓額定值及開關頻率的不一樣，選用適宜的阻值，并且柵極串聯電阻應隨著igbt模塊電流容量的增加而減少。通常RG為十幾歐至幾百歐。

2、柵射電阻RGE。當集射極問加上高壓時易受干擾使柵射電壓超出UGE(th)導致誤導通，在柵射極間并接一柵射電阻RGE可避免此現象出現;RGE阻值過小，會使igbt模塊開通時間變大，減低了開關頻率，通常RGE取(1000～5000)RG。并將RGE并在柵極與射極最近處。另外，為避免出現尖峰電壓，在柵射間并接2只反方向串連的穩壓二極管，穩壓值與開柵電壓+UGE和關柵電壓-UGE同樣，方向相反。

柵極驅動線路要簡易、實用，抗干擾性能好，自身的保護功能完善，到igbt模塊的引出線盡可能短，選用雙絞線，驅動線路與控制線路選用光電耦合隔離。

以上就是傳承電子對igbt功率模塊內部電阻參數的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。