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可控硅模塊的導通條件和斷開條件
2021-11-30
可控硅模塊的導通條件
可控硅模塊是1種有著3個PN結的四層構造的大功率半導體元器件，通常由兩可控硅模塊反方向相連而成，它有3個極：陽極，陰極和門極。可控硅模塊在運行過程中，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負載相連，構成可控硅模塊的主線路，可控硅模塊的門極G和陰極K與控制可控硅模塊的設備相連，構成可控硅模塊的控制線路。它的作用不僅僅是整流，還能夠用來無觸點開關以快速接通或切斷線路，實現將直流電轉換成交流電的逆變，將1種頻率的交流電轉換成另一種頻率的交流電等。可控硅模塊和其它半導體元器件相同，其有體型小、效率高、穩定性好、運行可靠等優勢。上面了解到可控硅模塊的運行原理，我們就接著來看看可控硅模塊的導通和斷開的條件及方式。
可控硅模塊的導通條件：陽極承擔正方向電壓，處在阻斷狀態的可控硅模塊，唯有在門極加正方向觸發電壓，方能使其導通。門極所加正方向觸發脈沖的最小寬度，應當使陽極電流到達維護通態所要的最低陽極電流，即擎住電流IL之上。導通后的可控硅模塊管壓降很小，使導通了的可控硅模塊斷開的條件是使流過可控硅模塊的電流降低至一個小的數值，即維護電流IH一下。
閘管導通的方式如下所示：
1、降低正方向陽極電壓至1個數值一下，或加反方向陽極電壓；
2、添加負載電路中的電阻。
可控硅模塊的斷開條件
閘管斷開的條件是：使主端子間的正方向電流低于維護電流。
可控硅模塊的斷開方式有：
1、降低主端子A、K間的正方向電壓，直到為零，或加反方向電壓；
2、借助儲能線路強迫斷開。
以上就是傳承電子介紹的可控硅模塊的導通條件和斷開條件，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。
可控硅模塊是1種有著3個PN結的四層構造的大功率半導體元器件，通常由兩可控硅模塊反方向相連而成，它有3個極：陽極，陰極和門極。可控硅模塊在運行過程中，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負載相連，構成可控硅模塊的主線路，可控硅模塊的門極G和陰極K與控制可控硅模塊的設備相連，構成可控硅模塊的控制線路。它的作用不僅僅是整流，還能夠用來無觸點開關以快速接通或切斷線路，實現將直流電轉換成交流電的逆變，將1種頻率的交流電轉換成另一種頻率的交流電等。可控硅模塊和其它半導體元器件相同，其有體型小、效率高、穩定性好、運行可靠等優勢。上面了解到可控硅模塊的運行原理，我們就接著來看看可控硅模塊的導通和斷開的條件及方式。
可控硅模塊的導通條件：陽極承擔正方向電壓，處在阻斷狀態的可控硅模塊，唯有在門極加正方向觸發電壓，方能使其導通。門極所加正方向觸發脈沖的最小寬度，應當使陽極電流到達維護通態所要的最低陽極電流，即擎住電流IL之上。導通后的可控硅模塊管壓降很小，使導通了的可控硅模塊斷開的條件是使流過可控硅模塊的電流降低至一個小的數值，即維護電流IH一下。
閘管導通的方式如下所示：
1、降低正方向陽極電壓至1個數值一下，或加反方向陽極電壓；
2、添加負載電路中的電阻。
可控硅模塊的斷開條件
閘管斷開的條件是：使主端子間的正方向電流低于維護電流。
可控硅模塊的斷開方式有：
1、降低主端子A、K間的正方向電壓，直到為零，或加反方向電壓；
2、借助儲能線路強迫斷開。
以上就是傳承電子介紹的可控硅模塊的導通條件和斷開條件，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。
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