igbt動態(tài)指標的基本信息介紹

2021-12-15

igbt動態(tài)指標是分析評估igbt開關(guān)特性如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時間、驅(qū)動功率等的重要憑證，文中主要探討下列動態(tài)指標：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容指標、柵極充電電荷、IGBT開關(guān)時間指標，結(jié)合igbt靜態(tài)指標可全方位分析評估IGBT芯片的特性。
RGint：模塊內(nèi)部柵極電阻：

為了能完成模塊內(nèi)部芯片均流，模塊內(nèi)部集成有柵極電阻。該電阻值應(yīng)當(dāng)被當(dāng)作總的柵極電阻的一部分來測算IGBT驅(qū)動器的峰值電流實力。

RGext：外部柵極電阻：

外部柵極電阻由客戶設(shè)定，電阻值會導(dǎo)致IGBT的開關(guān)特性。

圖上中開關(guān)檢測條件中的柵極電阻為Rgext的最小推薦值。

客戶可經(jīng)由另裝1個退耦合二極管設(shè)定不一樣的Rgon和Rgoff。

以上就是傳承電子對igbt動態(tài)指標的基本信息介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標準和非標準的功率半導(dǎo)體模塊等。

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