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在高壓條件下，可控硅串接閥的絕緣問題是十分重要的1個環節，倘若絕緣問題處置不佳，那可能嚴重影響設施運作的安全性與可靠性。

觸發線路的高電位部位和低電位部位間的隔離主要是靠觸發CT和借助CT的10kV絕緣的電流線，想要減低對觸發CT絕緣等級的需求，減少在高壓條件下串接閥主電路對脈沖電路的干擾，與此同時減低對脈沖電路絕緣等級的需求，將變壓器T12次側的地直接接在可控硅串接閥的第4和第5個可控硅間，即串接閥主電路的中點電位，將脈沖電路的電位拉高至1/2高電位，如下圖1中標記為中點電位點的地方。

進而使整個串接閥構造的電位全部提升，如此，絕緣的需求就加至隔離供電變壓器T1的1次側和2次側間，而這邊選擇的變壓器T1的1次側與2次側絕緣水平到達35kV，可以有效的達到10kV電壓等級的需求。

如此設計方案可以大幅度降低串接閥結構設計當中對絕緣的需求，也減低了對觸發線路的絕緣需求。

脈沖信號板的地與變壓器T11次側的中點電位點相接，使脈沖信號板的電位也升高到高電平，進而使脈沖信號板可以在高電壓下穩定運行。

如下圖2所顯示，是理想的觸發脈沖波型。圖2中t1為觸發脈沖的上升時間，t2為脈沖寬度，本設計方案中為了能提升閥組內各可控硅導通的快速性和一致性，需要理想觸發脈沖電流峰值Imax>2A,脈沖寬度t2不小于10μs，觸發脈沖電流升高至2A的時長為1μs左右，即需求脈沖上升沿的di/dt為2A/μs左右。
本設計方案中用到的可控硅串接閥是由8支額定電壓6000V、額定電流1000A的可控硅串接壓接成的，適合用在10kV電壓等級。觸發脈沖電流的生成是借助電容充電儲能后放電，構成尖峰大電流，再借助接在每一個可控硅門極上的脈沖CT轉變為觸發脈沖，來驅動可控硅。

干擾觸發脈沖波型的因素具體有兩個層面：一個是電容放電電路的寄生電感;二是觸發線路電阻、電容的參數配置。這邊為了能減少電容放電電路的寄生電感，放電電路的電阻選用無感電阻，大電流線走線方式選用往返走線，即大電流線借助觸發CT后再按原路從CT外部折回，如此走線的目地是為了能最大限度地減少大電流線所圍的面積，和最大限度地減少電路寄生電感。

觸發線路電阻電容技術參數對觸發脈沖波型的干擾如下所示。各技術參數中對觸發波型干擾比較大的是放電電阻值R1、阻容電路電容C2、儲能脈沖電容器的最高充電電壓Uc。

R1阻值越小，脈沖峰值越高，上升沿越陡;阻容電路電容C2越小，脈沖峰值越小;Uc值越高，脈沖峰值越高，上升沿越陡。

阻容電路的基本原理如下圖1所顯示，當電容C1充電儲能后，MOSFET受控制信號的控制導通，C1借助電阻值R1瞬時放電，阻容電路中的電容C2瞬時短路，將電阻值R2旁路掉，觸發脈沖瞬時上升，過后C1逐漸向C2充電，當C2充電完成，電阻值R2連接放電電路中，這時脈沖上升沿結束，脈沖電流逐漸減少。

表1是實驗中選定線路技術參數與所測得波型技術參數的對照表。須要表明的是，表1中的波型上升時間為10%脈沖峰值電流到90%脈沖峰值電流時間。到達2A時間為電流從0耀2A的時間。

以上就是傳承電子介紹的高壓可控硅的觸發線路電位，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。