可控硅的過壓保護(hù)

2022-01-18



可控硅元器件的電壓和電流過載能力極差，尤其是耐壓能力，瞬時(shí)的過壓便會導(dǎo)致元器件永久性的毀壞。

為了能使元器件能長期可靠地運(yùn)行，必須針對過壓和過電流發(fā)生的因素實(shí)行保護(hù)措施。

過壓保護(hù)

可控硅作業(yè)過程中將會承擔(dān)的過壓主要有下列幾類：1種是因?yàn)樵O(shè)備拉、合閘、負(fù)載打火等引發(fā)的過壓；1種是因?yàn)樵骷P(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的關(guān)斷電壓；再有因雷擊等因素從電網(wǎng)侵入的浪涌電壓。

為限制過電壓的幅值低過元器件的正反向峰值電壓，可實(shí)行下列保護(hù)措施(見圖二)。
(1)在變壓器1次側(cè)連上避雷器，在2次側(cè)加裝阻容保護(hù)、硒堆、壓敏電阻等非線性電阻元器件進(jìn)行保護(hù)。在整流直流側(cè)實(shí)行壓敏電阻和泄能保護(hù)設(shè)備，以避免元器件承擔(dān)過電壓。

(2)在可控硅陰陽極兩端直接進(jìn)行保護(hù)。可控硅關(guān)斷過程中主電流過零反方向后快速由反方向峰值恢復(fù)至零電流，此過程可在元器件兩端產(chǎn)生達(dá)正常作業(yè)峰值電壓5-6倍的尖峰電壓。

通常建議在最大限度接近元器件本身的地方連上阻容吸收電路。

電阻R選無感電阻，通常取5-30Ω；電容C通常在0.1-1μF，耐壓選元器件耐壓的1.1-1.5倍。

詳細(xì)R、C取值可依據(jù)元器件型號及工作情況調(diào)試確定。注意保證 電阻R的功率，特別是在在中頻逆變線路中，使之不能因發(fā)熱而毀壞。

以上就是傳承電子介紹的可控硅的過壓保護(hù)，傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時(shí)還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標(biāo)準(zhǔn)和非標(biāo)準(zhǔn)的功率半導(dǎo)體模塊等。

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