igbt模塊并接均流

2022-01-05

igbt模塊是三端元器件，芯片內部構造含有有柵極、集電極和發射極，等效線路如下圖2-1所顯示，在igbt模塊的柵極G和發射極E間加+15V標準電壓，則igbt模塊導通，倘若集電極有上拉電阻，集電極和發射極電壓就會變成0.2V，即集電極與發射極間因為門極添加正電壓而成低阻狀態促使igbt模塊飽和導通;若在igbt模塊的柵極G和發射極E間添加-15V則igbt模塊反方向截止，添加負壓而不是OV的目的是使igbt模塊可快速而可靠的關斷，對igbt模塊實際選擇有重要意義。 隨著igbt模塊在電氣領域的普遍使用，并接的形式使商品具備更高的功率密度、均勻的基板熱分布、靈活的布局及較高的性價比等優勢。但，靜態和動...

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單方向可控硅模塊調光線路

2022-01-04

如下圖所示是一個非常簡單的單方向可控硅模塊調光燈線路，它將2只3～5A／600V單方向晶閘管反方向并接，再用1只100kΩ電位器將兩者的門極連在一起，便可構成1個負載功率為200W的無級調光器。單方向可控硅模塊操控的調光燈線路圖文中講解的是1款具有穩光作用的晶管調光燈線路圖。如下圖所示，圖上S為穩光開關，當S打開時，占是一個普通的單方向可控硅模塊調光器，控制電位器RP，可隨便控制燈管E的光亮度。當S臺上時，即是自動穩光，R;與光敏電阻器RI.構成分壓器，借助二極管VD5也向電容C充電。當環境光源較暗時，RI.的電阻值增加，VD5右邊電位提高，因此向電容C充電速率加快，v:r導通角增...

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igbt功率模塊基本原理

2021-12-31

方式：igbt功率模塊是將強電流、高壓用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。因為實現1個較高的擊穿電壓BVDSS需要1個源漏通道，而這一通道卻有著很高的電阻率，因此導致功率MOSFET有著RDS（on）數值高的特點，igbt模塊清除了現有功率MOSFET的一些主要弊端。盡管最新一代功率MOSFET元器件大幅度優化了RDS（on）特點，但在高電平時，功率導通耗損依然要比igbt模塊技術高過很多。較低的壓降，轉變成1個低VCE（sat）的能力，和igbt模塊的構造，相同標準雙極元器件對比，可支撐更高電流密度，并簡單化igbt模塊驅動器的電路原理圖。導通：igbt模塊硅片的構造...

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高頻開關電源與可控硅整流模塊的差別

2021-12-30

高頻開關電源與可控硅整流模塊有什么不同?(以18V8000A舉例)1、效率：可控硅整流模塊：約70%;高頻開關電源：90%;2、變壓器：可控硅整流模塊：構成有工頻變壓器，體型十分大，凈重為200kg;高頻開關電源：無工頻變壓器，高頻變壓器，凈重30kg;3、調節設備：可控硅整流模塊：可控硅;高頻開關電源：igbt模塊;4、節能效率：可控硅整流模塊：欠佳;高頻開關電源：省電顯著，與一般的可控硅對比，可節約用電15%至30%;5、負載啟動和停止：可控硅整流模塊：未經授權;高頻開關電源：授權;6、控制線路：可控硅整流模塊：復雜，具備...

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igbt模塊工作原理

2021-12-29

IGBT模塊是什么igbt模塊即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）構成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優勢。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流比較大；MOSFET驅動功率較小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。igbt模塊綜合了以上2種元器件的優勢，驅動功率小而飽和壓降低。特別適合用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明線路、牽引傳動等行業。 igbt模塊構造圖上所顯示為1個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管構造，N+區稱作源區，附于其上的電極稱作源極（即發射極E）...

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