IGBT7功率模塊與IGBT4兩種典型運行環境對照方案

2021-11-23

IGBT7做為全新一代igbt模塊工藝平臺，它與IGBT4的性能對照始終是技術人員在意的問題。文中利用FP35R12W2T4與FP35R12W2T7在同一個平臺伺服驅動中的檢測，獲得了同樣運行環境下IGBT4與IGBT7的結溫對照。試驗結果顯示，在持續大功率負載運行環境與慣量盤負載運行環境的對照檢測中，IGBT7的結溫均小于IGBT4。 伺服驅動系統響應速率快，過載倍數高，小型化和高功率密度的趨勢更加是對功率器件確立了更嚴苛的需求。IGBT7借助于超低導通壓降、dv/dt可控、175℃過載結溫、很好契合伺服驅動器的全部要求需求。依托于IGBT7的伺服驅動完整解決方法，可有效提升功率密度。驅動芯片選用無...

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場效應管和可控硅模塊不同之處

2021-11-22

第1點是場效應管與可控硅模塊的輸入阻抗不一樣場效應管的直流等效輸入阻抗十分高，其阻值能夠到達10九次方歐姆，對MOSFET管而言最大能夠到達10十五次方歐姆，基于如此的特性來說由場效應管構成的線路功耗都較小、它的穩定性和抗干擾能力都很強，所以目前很多集成芯片中都使用的是場效應管構成的集成線路，有的工作電壓能夠低到2V之下。而對與可控硅模塊構成的線路而言在輸入直流等效阻抗層面它較低、如此就影響了它的功耗十分大，抗干擾能力遠不及場效應管，這也就表明了可控硅模塊構成的線路它的穩定性也不及場效應管。 第2點是場效應管與可控硅模塊的功能不一樣我們從兩者的構成構造能夠發現，對場效應管而言它能夠放大信號，所...

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IGBT智能化驅動板SCALE輸出部分引腳作用

2021-11-19

Ｇ端（柵極）:與igbt模塊柵極相接，并用15Ｖ驅動。Ｅ端（發射極）:與igbt模塊發射極直接相接，且連線應最大限度地短。Ｃ端（集電極）:用于檢測啟動時igbt模塊的電壓降，所以?需要直接與igbt模塊集電極相接。針對1200V和1300V模塊，使用２個或３個１Ｎ４００７二極管來實現140％的耐壓需求。采用普通高壓二極管便可，通常不需要高壓快恢復二極管。Rth端（參照電阻值）：利用連在Rth端的參照電阻值可明確igbt模塊的保護斷開閾值。Ｅ端的參照電位、參照電阻值需要最大限度地接近IGBT模塊。當Ｃ端的工作電壓高于Rth端的工作電壓時，將啟動igbt模塊保護作用。這時電流源將給予15０...

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可控硅模塊組成的調光燈線路圖

2021-11-18

由一只可控硅模塊組成的調光燈線路如下圖所示。 市電220V電壓經二極管VD－VD4整流后，加到可控硅模塊VTH1的A、G兩邊的電壓是一個正弦脈動電壓。該電壓先由限流電阻R1降壓，之后提供給觸發線路做為直流電源和同步電壓。由可控硅模塊VT1等組成的弛張振動器，在每半個周期內，當電容C1上的充電電壓到達可控硅模塊的峰點時，則由斷開變為導通模式，之后使電容C進行放電。這么在電阻R2上輸出1個脈沖，加至可控硅模塊VTH1操控極，觸發VTH1導通，所以便會有電流經過燈泡EL和可控硅模塊，電流的巨細由燈泡EL挑選。當可控硅模塊導通往后，VTH1的A、G間的正方向壓降較小（約為1V），因此，觸發線路接連作業。電源電...

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IGBT功率模塊智能化驅動板SCALE引腳作用

2021-11-17

現以SCALE中的2SD315A為例，列出該模塊的引腳作用，圖４列出了2SD315A的引腳布局圖。 輸人部分引腳作用GND：電源地；VDC：電源＋15Ｖ，供DC/DC電源用；VDD：電源＋15Ｖ，供LDI001用；VL/R：用于設定輸人端INA和INB的施密特觸發器的開關閾值。當輸人信號為加到VL/R端電壓的2/3時，啟動；為１／３時斷開；MOD：模式選擇；INA：信號輸人端Ａ；INB：信號輸人端Ｂ；SO1：狀態輸出１；SO2：狀態輸出２；RC１：形成＃１路死區時間的RC網絡；RC２：形成＃２路死區時間的RC網絡；RC端：...

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