數(shù)字化igbt高等級(jí)隔離電源

2021-09-23

高壓igbt模塊驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)中，電源設(shè)計(jì)是關(guān)鍵部位之一，電源的輸出功率確定了igbt模塊在實(shí)際運(yùn)行中可以采用的工作頻率，倘若電源輸出功率欠缺，將會(huì)在IGBT元器件高頻運(yùn)行時(shí)，發(fā)生欠壓現(xiàn)象，造成 igbt模塊耗損提升，乃至引起igbt模塊毀壞。 本設(shè)計(jì)中選擇TI公司的LM5025芯片設(shè)計(jì)反激式DC-DC線路（線路圖見圖2），線路中的初級(jí)具備電流監(jiān)測(cè)軟起動(dòng)作用，當(dāng)電流監(jiān)測(cè)電阻上的壓降到達(dá)0.25V時(shí)，對(duì)電源起著不錯(cuò)的過流保護(hù)作用。1、光纖通信接口在客戶主控系統(tǒng)通信的接口設(shè)計(jì)上，選擇抗干擾能力強(qiáng)的光纖通信，避免控制信號(hào)被干擾發(fā)生誤觸發(fā)。光纖選擇HFBR-1522、HFBR-2522，光纖線路如下圖3。 ...

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可控硅模塊非拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)性轉(zhuǎn)變的解決方案

2021-09-22

從上邊的剖析得知，滯后橋臂的開關(guān)動(dòng)作出現(xiàn)在回流環(huán)節(jié)向能量傳輸環(huán)節(jié)的轉(zhuǎn)化階段，因?yàn)檩敵鲭姼须娏鳠o法反饋到原邊，使滯后橋臂的開關(guān)管并接電容只有借助變壓器原邊的諧振電感完成充放電，而諧振電感中存儲(chǔ)的能量不大，促使滯后橋臂開關(guān)管完成零電壓導(dǎo)通變得很難,尤其是在低負(fù)載的時(shí)候更為明顯。要完成滯后橋臂的ZVS，務(wù)必符合LrI22>ClagVin2＋CtrVin2，要符合它就務(wù)必增加諧振電感Lr和增加電流I2。如此，就有兩種非拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)性轉(zhuǎn)變的方式能夠解決滯后橋臂開關(guān)管零電壓導(dǎo)通難的情況：增加勵(lì)磁電流和增加諧振電感。但，增加勵(lì)磁電流會(huì)增加變壓器的損耗，增加諧振電感又將引起副邊占空比的丟失。為了更容易完成滯后橋臂...

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數(shù)字化igbt功率模塊化的設(shè)計(jì)

2021-09-18

因?yàn)殡娏﹄娮釉骷に嚨陌l(fā)展壯大，大功率器件在軌道交通、直流輸電、風(fēng)力發(fā)電等行業(yè)的市場(chǎng)飛速發(fā)展，當(dāng)中以igbt模塊元器件表現(xiàn)極為突顯，在具體的應(yīng)用工況中，每一個(gè)IGBT模塊都需用1個(gè)專門的驅(qū)動(dòng)器，igbt模塊驅(qū)動(dòng)器對(duì)igbt模塊的運(yùn)作性能存在重大影響［1-3］。傳統(tǒng)借助模擬線路完成的igbt模塊驅(qū)動(dòng)器工藝較成熟，運(yùn)作穩(wěn)定，但因?yàn)槠潋?qū)動(dòng)器各參數(shù)設(shè)置大多數(shù)選擇硬件完成，參數(shù)調(diào)節(jié)較為復(fù)雜，不同型號(hào)的igbt模塊必需設(shè)計(jì)不同的驅(qū)動(dòng)器，文中借助數(shù)字控制器對(duì)柵極控制，可以靈活的改動(dòng)驅(qū)動(dòng)器的軟件參數(shù)設(shè)置，來調(diào)節(jié)igbt模塊運(yùn)行的性能，對(duì)不同的igbt模塊型號(hào)，只需用加載不同的驅(qū)動(dòng)程序，即可以解決傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)器商品的型號(hào)匹配問題。 ...

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可控硅三相四橋臂逆變器

2021-09-17

三相四橋臂逆變器，主要用來給三相不對(duì)稱負(fù)載配電的UPS、中頻變頻器和航空機(jī)載變速恒頻發(fā)電系統(tǒng)。它是近幾年才產(chǎn)生的1種新型逆變器，主要特點(diǎn)是體型小質(zhì)地輕。通常的三相逆變器是僅有3個(gè)橋臂的三相半橋式逆變器，當(dāng)給不對(duì)稱負(fù)載配電時(shí)，就需要在輸出端連接1個(gè)△/Y輸出變壓器，或連接1個(gè)中性點(diǎn)生成變壓器（NeutralFormedTransformer簡(jiǎn)稱NFT）。NFT是一個(gè)變比為1：1的自耦變壓器，它盡管比△/Y輸出變壓器的體積重量小些，但它的體積重量是隨負(fù)載不對(duì)稱的程度而變化的，不對(duì)稱度越大，它的體積重量也越大。為了能剔除輸出變壓器，減少逆變器的體積重量，可以在三相半橋式逆變器的基礎(chǔ)上添加1個(gè)橋臂來生成中性點(diǎn)N，如下圖1所顯示。...

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igbt電壓電流基本參數(shù)選用

2021-09-16

在保護(hù)吸收線路中，當(dāng)T1導(dǎo)通，T2截止時(shí)，T2承擔(dān)的電壓Uce2為： 考慮到電網(wǎng)波動(dòng)為+/-10%，T2成熟的電壓為Uce2為： 再考慮到線路中開通斷開瞬間電壓，及IGBT模塊承擔(dān)電壓應(yīng)留出50%～80%的裕量，其所選模塊電壓BVce應(yīng)是： 考慮到電網(wǎng)的波動(dòng)、運(yùn)作時(shí)電流尖峰的影響，選用的IGBT模塊Icm為： 當(dāng)中，Pn為逆變器輸出功率。δ為脈沖占空比，η為逆變器效率。igbt模塊組成的電機(jī)傳動(dòng)用逆變器的主線路組成及igbt模塊基本參數(shù)選用，驅(qū)動(dòng)線路、緩沖吸收電路的組成及基本參數(shù)選用以及主線路安裝和合理布局應(yīng)考慮到的問題，對(duì)實(shí)際應(yīng)用中的逆變器設(shè)計(jì)有一定價(jià)值。...

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