igbt逆變器原理

2021-07-19

igbt模塊（絕緣柵雙極型晶體管），是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）構成的復合全控型電壓驅動式輸出功率半導體元器件，兼具MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩層面的優勢。GTR飽和壓下降，載流密度大，但驅動電流比較大;MOSFET驅動輸出功率較小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。igbt模塊結合了上述2種元器件的優勢，驅動輸出功率小而飽和壓下降。特別適合運用于直流電壓為600V及上述的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源電路、照明線路、牽引傳動等行業?，F階段國內缺少高品質IGBT模塊，近乎全部靠進口。絕緣柵雙極晶體管（igbt模塊）是高壓開關家族中極其年輕的1位。由1個15V高阻抗...

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可控硅的內部運行過程

2021-07-16

從可控硅的內部結構解析運行過程：可控硅是四層三端元器件，它有J1、J2、J33個PN結,夠把它中間的NP分為兩部分，組成1個PNP型三極管和1個NPN型三極管的復合管。當可控硅承受正方向陽極電壓時，為使可控硅導通，務必使承受反方向電壓的PN結J2失去阻擋功能。每一個晶體管的集電極電流并且也是另1個晶體管的基極電流。所以，2個相互復合的晶體管線路，當有一定的門機電流Ig流入時，便會產生很強的正反饋，導致兩晶體管飽和導通，晶體管飽和導通。設PNP管和NPN管的集電極電流對應為Ic1和Ic2；發射極電流對應為Ia和Ik；電流放大系數對應為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設流經J2結的反相漏電電流為Ic0, ...

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igbt功率模塊過流保護功能擴展

2021-07-16

消除igbt模塊集-柵極間的du/dt圖5所顯示為EXB841與igbt模塊柵-射極間的連接線路原理圖。當驅動線路中的V4導通時，igbt模塊處在正常導通模式，當V5導通時，igbt模塊柵-射極間利用穩壓管VZ2提供一個-5V電壓加在其兩端，使igbt模塊斷開，這時V5處在臨界導通模式，穩壓管VZ2處在方向偏置模式。但因為集-柵極間分布電容的影響，集-柵極間的du/dt增大時，其利用分布電容產生的電流經過，因此，要解決集-柵極間的du/dt，保證穩壓管不過壓，防止igbt模塊誤導通。解決du/dt的辦法有兩種：一是驅動線路輸出與igbt模塊柵-射極間的連線選用雙絞屏蔽電纜，屏蔽層接地，二是選用快速吸收線路吸收過壓。 ...

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可控硅模塊的運行原理

2021-07-15

可控硅（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又可稱作可控硅整流器，之前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電器公司研發出世上第1 可控硅產品，并于1958年使其商業化；可控硅是PNPN四層半導體構造，它有3個極：陽極，陰極和門極；可控硅運行狀況為：加正方向電壓且門極有觸發電流；其伴生元器件有：快速可控硅，雙向可控硅，逆導可控硅，光控可控硅等。它是1種大功率開關型半導體元器件，在線路內用文字符號為“V”、“VT”表達（舊標準內用字母“SCR”表達）。 可控硅的工作原理可控硅T在運行過程中，它的陽極A和陰極K與電源和負載連接，組成可控硅的主線路，可控硅的門極G和陰極K與控制可控硅的裝置連接，組成可控硅的控制電路...

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igbt驅動線路的過電壓保護

2021-07-15

igbt集-射極間的瞬時過壓會對igbt模塊造成毀壞，小編選用箝位式吸收線路對瞬時過壓進行抑止。當igbt模塊導通時，因為二極管的作用，電容器的電荷不會被放掉，電容器電壓仍為電源電壓。igbt模塊斷開時，負載電流仍流過igbt模塊，直到igbt模塊集-射極間電壓實現電源電壓，續流二極管導通。應用該線路，能夠使雜散電感中的能量利用二極管轉儲到吸收電容器中，而igbt模塊的集電極電位被箝位在電容電壓上，如此就可以抑止igbt模塊集電極的尖峰電壓。吸收電容器的容值能夠按公式（2）選 ?。?式中，L是引線電感;i是igbt模塊斷開時的電流;△U是吸收電容器上的電壓過沖。當吸收電路中的電容器電壓...

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